半导体材料可以分成元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素构成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物构成的半导体。砷化镓的电子迁入速率比硅低5.7倍，非常适合用作高频电路。　　砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性皆远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管（MESFET）或低电子迁移率晶体管（HEMT/PHEMT），在3V电压操作者下可以有80%的功率减少效率（PAE:poweraddedefficiency），十分的限于于高层（hightier）的无线通讯中长距离、宽通信时间的市场需求。

　　砷化镓元件因电子迁移率比硅低很多，因此使用类似的工艺，早期为MESFET金属半导体场效应晶体管，后演进为HEMT（高速电子迁移率晶体管），pHEMT（介面突发事件式低电子迁入电晶体）目前则为HBT（异质接面双载子晶体管）。异质双近于晶体管（HBT）是需要胜电源的砷化镓组件，其功率密度（powerdensity）、电流推展能力（currentdrivecapability）与线性度（linearity）皆多达FET，合适设计高功率、高效率、低线性度的微波放大器，HBT为最佳组件的自由选择。　　而HBT组件在振幅噪声，低gm、低功率密度、瓦解电压与线性度上占优，另外它可以单电源操作者，因而修改电路设计及次系统构建的可玩性，十分适合于射频及中频发送模块的研制，尤其是微波信号源与低线性放大器等电路。

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